三星展示全球首款5nm MRAM，2027年量产
来源：互联网 2026-08-03 12:42:28三星电子在2026年IEEEVLSI研讨会上展示全球首款5nmMRAM，具备非易失性，工作温度-40℃至+150℃，满足AEC-Q100车规级标准，计划2027年量产。
三星发布全球首款5nm MRAM
来了个重磅消息。在2026年度的IEEE VLSI研讨会上，三星电子直接亮出了全球首款5nm工艺的MRAM——磁性随机存取存储器。这步棋，走得相当关键。
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MRAM相较DRAM的核心优势
那MRAM相比于我们熟悉的DRAM，到底强在哪？核心优势其实就一个——非易失性。也就是说，它不需要像DRAM那样频繁刷新来维持数据，信息存进去，几乎可以无限期保留。这就意味着，在功耗控制上，MRAM天生就占了大便宜。
技术指标与车规级标准
回到三星这块5nm MRAM本身，技术指标上也很硬核。它的工作温度范围覆盖了-40℃到+150℃，不仅宽，而且完全满足AEC-Q100车规级标准。换句话说，这颗芯片从一开始就不是冲着消费电子那些“温吞水”的环境去的，瞄准的显然是工业级和车载这类对可靠性要求极高的应用场景。
量产节奏：2027年目标
更值得关注的是量产节奏。三星已经明确表态，正在朝着2027年量产的目标稳步推进。从实验室成果到产品落地，这速度，算是相当激进了。
从8nm到5nm的完整布局
不妨留意一下，三星其实今年早些时候就在另一场学术会议上展示过8nm的MRAM。更关键的是，基于那颗8nm MRAM打造的边缘AI芯片，已经在上个月完成了流片。这说明什么？说明三星对MRAM的布局不是单点技术储备，而是一个完整的、从工艺迭代到应用落地的全链条推进。5nm MRAM的出现，不过是这条路上一个重要的里程碑罢了。
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