铠侠2026年量产332层BiCS10 NAND，布局高端企业与消费市场
来源：散落的星星沙 2025-12-12 08:54:09
铠侠计划于2026年启动下一代BiCS10 3D NAND闪存的量产，以满足大容量企业级固态硬盘的市场需求。该技术采用332层堆叠结构，支持4.8Gbps的I/O接口速率，其位密度相较当前主流的BiCS8提升达59%。根据规划，承担BiCS10量产任务的将是位于岩手县北上市的新建Fab 2晶圆厂。
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此外，公司预计在2025财年末开始投产BiCS9 NAND闪存。该产品基于现有的BiCS5与BiCS8存储阵列，通过应用CBA技术优化外围电路设计，从而实现性能提升。BiCS9的生产将由位于三重县四日市的工厂负责，主要面向智能手机等消费类电子产品市场。
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