三星NAND闪存价格暴涨超100%，AI驱动供需失衡加剧
来源：十三号胡同 2026-01-26 09:09:18
2026年1月25日，消息显示，三星电子在2026年第一季度将NAND闪存产品的供应价格上调逾百分之一百，涨幅显著超出市场普遍预期，反映出当前半导体领域供需关系的严重失衡。
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据业内知情人士介绍，三星电子已于2025年底完成与主要客户的年度供应协议谈判，并自2026年1月起正式启用新定价机制。此次NAND调价紧随此前DRAM内存价格接近百分之七十的上涨幅度之后，进一步强化了存储市场整体上行的价格信号。
目前，三星已启动第二季度NAND价格的新一轮协商工作，市场主流观点认为，涨价态势仍将持续。
本轮价格大幅调整的直接动因，在于人工智能基础设施建设对高性能存储器件的强劲拉动。一方面，全球数据中心加速扩容，带动企业级固态硬盘需求激增；另一方面，“端侧AI”在智能手机、个人电脑等终端设备中快速落地，推动整机向更高容量存储配置升级。多重因素叠加，使存储芯片需求呈现指数级扩张趋势。
但供给端未能实现同步响应。过去一年间，包括三星在内的主要存储制造商均未启动大规模产能扩充计划，整体投资节奏保持高度谨慎。尽管未宣布减产，但由于出货量增长乏力，叠加先进制程工艺转换过程中产生的产能置换效应，实际可释放的有效供给明显滞后于需求增速，市场已普遍呈现“有价无货”的紧张状态。
存储芯片价格的剧烈波动，正逐步演变为制约人工智能产业纵深发展的现实瓶颈。随着DRAM与NAND价格双双大幅攀升，AI基础设施的整体建设成本持续抬升。部分业内人士已表达关切，认为不断走高的存储成本可能影响AI技术在更广泛场景中的规模化应用与普及进程。
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