长江存储全新晶圆厂曝光!产能提升超100% 国产设备采用率首次超过50% 近日,一则关于长江存储产能扩张的重磅消息在业内引发广泛关注。据知情人士透露,这家国内存储芯片领军企业已敲定全新的产能扩张计划。 除了今年即将在武汉完工的第三座晶圆厂,长江存储还规划再建两座全新工厂。待这些项目全部落地后,公司总
近日,一则关于长江存储产能扩张的重磅消息在业内引发广泛关注。据知情人士透露,这家国内存储芯片领军企业已敲定全新的产能扩张计划。
除了今年即将在武汉完工的第三座晶圆厂,长江存储还规划再建两座全新工厂。待这些项目全部落地后,公司总产能将实现飞跃,较当前水平提升超过一倍。
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目前,长江存储在武汉已建成并运营两座晶圆厂,合计月产能达20万片。规划中的三座新工厂,每座满负荷运转后均可贡献每月10万片晶圆的产能。其中,进展最快的三期工厂已启动设备安装,预计今年年底正式投产。按照规划,到2027年,该工厂将实现月产能5万片的阶段性目标。
三期工厂的亮点不仅在于产能提升。更具里程碑意义的是,其生产设备的国产采购占比首次超过50%,成为长江存储旗下首个国产设备采用率过半的晶圆厂。
目前,长江存储整体的国产设备采用率约为45%,已是国内晶圆厂中的最高水平。回顾其早期建成的一期、二期工厂,核心生产设备多依赖西方供应商。转折发生在2024年,长江存储被列入美国实体清单后,来自ASML等海外巨头的设备供应渠道被切断,这一外部压力加速了其供应链自主化进程。
那么,三期工厂采用的国产设备实力如何?据悉,这些设备覆盖了3D NAND垂直堆叠等核心制造环节,中微公司等本土供应商扮演了关键角色。目前,国内晶圆制造行业的国产设备整体占比普遍在15%至30%之间。因此,三期工厂的落地与量产,不仅是一次产能扩充,更是对国产半导体设备在规模化、高强度量产场景下的一次重要考验。核心在于,国产设备能否稳定支撑3D NAND芯片的高良率、规模化生产。实现这一目标,仍需克服一些技术挑战。
正因如此,后续两座新厂的建设规划,将直接取决于三期工厂的量产验证结果。这场验证的成功与否意义重大。为推进半导体设备国产化,相关方面已持续投入数百亿资金,以扶持本土技术追赶国际先进水平。
除了在NAND闪存核心主业上持续深耕,长江存储也在拓展存储产品边界。最新消息显示,公司已开始向客户送样低功耗DRAM产品,预计客户反馈将于今年年底到来。这意味着长江存储正朝着更全面的存储产品线布局迈进。
市场数据直观反映了其行业地位。2025年,长江存储在全球NAND闪存市场的份额已达11.8%,与闪迪并列。目前,三星以30.4%的份额保持领先,SK海力士、铠侠、美光则分别以16%、15.9%、13.3%的份额紧随其后。
市场研究机构Yole集团预测,到2028年,长江存储的全球市场份额有望进一步提升至15%。技术层面,长江存储目前基于Xtacking 4.0架构,实现了约270层3D NAND的量产。相比之下,SK海力士的321层4D NAND和三星的286层第九代V-NAND,在堆叠层数上暂时保持领先。未来的技术竞赛将更加激烈。

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