佰维存储发布国产自主工业级宽温eMMC新品TGE408 就在最近,佰维存储正式推出了其工业级宽温eMMC嵌入式存储新品——TGE408。这款产品的发布,可以说是国产存储自主化进程中的一个扎实脚印。它从核心的NAND闪存颗粒,到主控芯片,再到底层的固件算法,都采用了自主研发的技术,构建了一条完整可控的
就在最近,佰维存储正式推出了其工业级宽温eMMC嵌入式存储新品——TGE408。这款产品的发布,可以说是国产存储自主化进程中的一个扎实脚印。它从核心的NAND闪存颗粒,到主控芯片,再到底层的固件算法,都采用了自主研发的技术,构建了一条完整可控的技术路径。

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具体来看,TGE408采用了标准的FBGA153球形封装,完全兼容主流的eMMC 5.1协议。在性能上,它支持HS400高速模式,顺序读取速度最高可以达到330MB/s,而顺序写入速度也能达到220MB/s的水平,这对于工业嵌入式应用而言,已经能够满足绝大多数场景下的数据吞吐需求。
当然,针对不同的应用场景,产品在容量和耐久性上也做了清晰的区分。其中,8GB和16GB的版本应用了Win-pSLC固件技术,这个技术的厉害之处在于,它能将存储单元的编程/擦除循环次数提升至惊人的10万次,非常适合需要频繁写入数据的严苛环境。而对于需要更大存储空间的应用,64GB和128GB版本则提供了3000次编程/擦除循环的写入耐久性,在容量与耐用性之间取得了良好的平衡。
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