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美国禁令限制HBM，长鑫转向定制化3D DRAM挑战三星、SK海力士

来源：互联网 2026-07-26 11:04:09

美国出口管制切断长鑫存储获取HBM设备渠道，长鑫转而布局定制化3DDRAM，在合肥建设键合研发线，采用DUV与多重曝光工艺制造10纳米级高性能DRAM。三星、SK海力士因依赖标准DRAM市场而谨慎对待定制化转型，中国厂商已推出样品并对接客户。

美国禁令切断HBM渠道，长鑫存储转向定制化DRAM

美国的一纸出口管制令，直接切断了长鑫存储获取HBM制造工具的渠道。这意味着，在主流AI内存市场，长鑫想和三星、SK海力士硬碰硬，几乎是不可能的。不过，长鑫显然没有坐以待毙——它正掉头转向定制化DRAM，试图从另一个维度打开局面。

战略重心转向3D集成电路与3D DRAM技术

具体来说，长鑫存储的战略重心正在向3D集成电路和3D DRAM技术倾斜。这种新型架构设计的核心思路在于：即便没有传统HBM设备，也能通过垂直堆叠和互联技术，解决数据传输的性能瓶颈。说白了，就是用另类的技术路径绕过禁运。

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合肥启动键合DRAM研发线，目标10纳米级别

据悉，长鑫已经在合肥启动了一条键合DRAM研发线，目标是用DUV设备配合多重曝光工艺，制造出10纳米级别的高性能DRAM。这可不是小打小闹，而是一条实实在在的研发推进路线。

无晶圆厂公司向三星抛出合作意向，韩国巨头谨慎观望

有意思的是，不少无晶圆厂芯片设计公司已经就此类定制化设计向三星抛出了合作意向。但三星和SK海力士目前都表现得相当谨慎——毕竟，大规模出货标准DRAM模块才是它们的利润基本盘。转向高度定制化的3D DRAM市场，不仅违背了它们成熟的商业模式，还意味着巨大的研发和市场风险。尽管韩国双雄也在偷偷搞前沿技术研究，但短期内根本没有大规模商业化的打算。