SK海力士计划2026年下半年量产LPDDR6,采用第六代10nm级工艺,运行速度达10.7Gbps,较前代提升33%,功耗降低超20%。得益于子信道结构与动态电压频率调整技术,适用于AI、5G、自动驾驶等高带宽场景,将首批应用于旗舰手机。该技术使LPDDR6成为业界性能领先的内存产品。
媒体消息显示,SK海力士官方已经敲定,LPDDR6的量产时间定在2026年下半年。这款新一代低功耗移动DRAM产品早在今年3月就已经完成开发,量产前的各项准备工作目前正在稳步推进。
作为SK海力士在移动存储领域的最新力作,LPDDR6采用了第六代10nm级工艺(也就是1c节点)制造。在数据处理速度与功耗控制这两大核心指标上,都实现了明显的突破。
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先说性能方面。LPDDR6的运行速度达到了10.7Gbps,相比上一代LPDDR5X产品提升了大约33%。这一跃升背后,主要得益于带宽扩展与单位时间内数据传输量的同步增加。对于高帧率游戏、多任务处理以及AI应用这些对带宽要求较高的场景来说,这无疑提供了更充沛的支撑。
功耗控制同样是此次升级的重点。SK海力士引入了子信道结构与DVFS(动态电压频率调整)技术,使得整体功耗相比前代降低了超过20%。
具体来说,子信道结构能够智能识别并仅激活必要的数据路径,从而避免无效功耗;而DVFS技术则可以根据实际负载动态调节电压与频率——在运行高性能游戏这类重载场景时,自动提升等级以释放最大带宽;在日常轻负载使用中,则主动降低频率和电压,在性能与续航之间实现灵活平衡。

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