英特尔18A工艺验证通过，RAMP-C计划完成，为美军造芯片
来源：互联网 2026-07-29 16:02:06美国国防部RAMP-C计划顺利完成，英特尔18A工艺通过验证，为美军提供芯片量产。该计划已在美本土建立先进CMOS技术研发与制造能力，获30亿美元资助。18A工艺采用RibbonFET和PowerVia技术，提升性能与密度。英特尔成为唯一集研发制造先进半导体于一身的公司。
英特尔RAMP-C计划完成，18A工艺通过美军验证
7月29日，英特尔宣布，美国国防部主导的RAMP-C（快速保障微电子原型-商业）计划已顺利完成，其18A工艺通过验证，可开始为美军提供芯片量产服务。参与该计划的国防工业客户已从测试芯片阶段进入本土大规模制造阶段。
计划背景与目标
该计划于2024年9月启动，分为三个阶段：技术基础搭建、客户导入与生态扩展、先进原型设计与制造验证。目标是在美国本土建立领先的CMOS技术研发与制造能力，确保关键供应链安全。
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美国拨款30亿美元支持
为了支撑该计划，美国直接拨款30亿美元资助英特尔，展现了对本土半导体制造的坚定决心。
18A工艺技术亮点
RAMP-C计划的核心是推进Intel 18A工艺节点，该工艺引入RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，能显著提升每瓦性能和晶体管密度，实现更高效能与更高集成度。
项目负责人表态
RAMP-C项目负责人表示，该计划成功开发了关键的本土先进半导体技术和设计生态，为国防工业基地客户提供了安全的芯片制造路径。英特尔借此成为美国唯一一家集研发、制造先进半导体技术于一身的公司。
对台积电的挑战
此外，英特尔18A此前已获得不少外部客户订单。此次完成RAMP-C认证，意味着英特尔在安全芯片制造领域迈出关键一步，对台积电长期独占的军工代工市场形成直接挑战。
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