瑞萨电子发布第三代DDR5 MRDIMM芯片组,速率达16000 MT/s7月31日,瑞萨电子正式发布了第三代DDR5 MRDIMM芯片组解决方案。这次的新方案,直接把服务器级DDR5 MRDIMM的传输速率拉到了16000 MT/s,相比第二代,带宽提升了25%。核心芯片与亮相计划新方案的核心是两
7月31日,瑞萨电子正式发布了第三代DDR5 MRDIMM芯片组解决方案。这次的新方案,直接把服务器级DDR5 MRDIMM的传输速率拉到了16000 MT/s,相比第二代,带宽提升了25%。
新方案的核心是两颗芯片:第三代多路复用寄存时钟驱动器(MRCD,型号RRG5013)和多路复用数据缓冲器(MDB,型号RRG5103)。这两款产品将在8月4日至6日于美国圣克拉拉举办的FMS 2026上亮相。
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MRDIMM架构在第二代时就已经证明是成熟可靠的方案。第三代在延续原有设计的基础上,进一步扩展性能,同时保持了标准DIMM的外形规格和系统兼容性。这对服务器平台来说是个好消息,意味着不需要进行破坏性的架构变更,就能直接获得更高性能。
瑞萨提供的MRDIMM产品组合覆盖了全链路,包括MRCD、MDB、电源管理芯片(PMIC)、SPD Hub和温度传感器。客户可以在跨代扩展MRDIMM性能的同时,保持设计上的连续性,这一点对于产品迭代来说非常关键。
第三代还引入了一些系统可视化和鲁棒性增强功能,比如器件均衡自训练模式(DESTM)质量指示状态。这允许用户微调时序和接收器均衡训练,以最大化裕量。简单来说,就是给了用户更多调优空间,让系统在极限性能下也能稳定运行。
在功耗方面,瑞萨表示第三代方案在设计上兼顾了系统级能效,帮助客户在带宽需求增长与散热和功耗约束之间取得平衡。具体的功耗对比数据,会在产品文档中给出。目前,瑞萨正与主要CPU和平台合作伙伴紧密协作,推动MRDIMM Gen 3在未来的服务器平台中落地。
MRCD(RRG5013x)和MDB(RRG5103x)已经向部分客户出样,包括所有主要DRAM供应商。量产时间预计在2027年下半年。这意味着,距离这款高性能内存方案的正式商用,已经不远了。

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