
铠侠存储器事业部执行董事中户俊介近日在接受采访时表示,公司2026年度的NAND闪存产能已全部落实至客户订单,这一紧平衡状态预计将在2027年延续。实际成交价格依各客户所签协议而定,部分合同价格较上年度上涨逾三成;随着供需关系持续趋紧,价格上行压力仍将持续。
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中户俊介指出,尽管当前NAND闪存供应高度紧张,铠侠始终坚持基于长期互信的合作原则,未采用“先到先得”或“价高者得”的短期销售机制。公司不会因单笔订单规模较大而擅自调整交货周期,亦不为追求更高报价而倾斜资源分配。所有年度供货安排均与核心合作伙伴共同协商制定,确保供应计划的稳定性与可预期性。
在谈及行业动因时,中户俊介表示,人工智能已成为企业发展的刚性需求。业界普遍意识到,若在AI基础设施投入上滞后,将面临被市场边缘化的风险,因此持续加码投入已成为必然选择。
位于日本四日市的生产基地是全球规模领先的NAND闪存制造中心之一,其高度智能化的产线设计显著提升了产品良率。与此同时,北上工厂新建的半导体生产设施Fab 2(K2)已于2025年正式投产。中户俊介强调,该基地将成为缓解当前供应短缺、支撑市场份额稳步增长的重要支柱。
关于第八代BiCS FLASH 3D闪存技术,中户俊介坦言,市场对QLC NAND在性能表现与耐用性方面的顾虑客观存在,但新一代技术通过结构优化已有效突破原有瓶颈。即使在无DRAM缓存的SSD方案中,终端用户亦可获得稳定且流畅的使用体验。
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